Samsung kündigt Produktion des weltweit ersten 2GB LPDDR3 Mobile Memory in 30nm-Class-Technologie an
SEOUL, Korea (ots) – Samsung Electronics Co. Ltd., ein weltweit führender Anbieter von modernsten Halbleitertechnologielösungen, hat mit der Massenproduktion des weltweit ersten 2GB (Gigabyte) LPDDR3 Memory (Low Power Double-Data-Rate 3) in 30 nanometer (nm) Class* Technologie begonnen. Das neue 2GB-Memory wurde für den Einsatz in Mobilgeräten der nächsten Generation konzipiert.
Samsung hat die Massenproduktion des industrieweit am weitesten entwickelten Mobile DRAM-Chips (Dynamic Random Access Memory) nur zehn Monate nach dem Produktionsstart (Oktober 2011) des branchenweit ersten 2GB LPDDR2 Memory in 30nm-Class-Technologie begonnen. Das neue LPDDR3 ist das erste 2GB-Memory dieser Art, das mit vier gestapelten LPDDR3-Chips in einem platzsparenden Gehäuse verfügbar ist. LPDDR3 wird für schnelle Prozessoren, hochauflösende Displays und 3D Grafik in Tablets und Smartphones benötigt.
„Wir werden stärkere technische Kooperationen mit zahlreichen weltweit aktiven Mobilgeräteherstellern eingehen, während wir weiterhin sehr zeitnah Memory-Lösungen der nächsten Generation wie das 2GB LPDDR3 anbieten und das Wachstum des Mobile Memory Marktes vorantreiben,“ sagt Wanhoon Hong, Executive Vice President, Memory Sales Marketing, Samsung Electronics. „Ferner bewegen wir uns mit dieser schnellen Einführung von 2GB LPDDR3 sehr gezielt auf die Erweiterung unserer globalen Führungsposition auf der Premium-Seite unseres umfangreichen Memory-Portfolios.“
Das neue 2GB LPDDR3 DRAM kann Daten mit bis zu 1.600 Megabit pro Sekunde (Mbps) pro Pin übertragen und ist damit etwa 50 Prozent schneller als ein LPDDR2 DRAM. Auf Package-Level bietet es eine Datenübertragungsrate bis 12,8 Gigabyte pro Sekunde (GB/s). Dies ermöglicht auf Smartphones und Tablets das Abspielen von Full HD Videos in Echtzeit. Aufgrund der hohen Datenübertragungsraten kann LPDDR3 Full HD Video Playback auf Bildschirmen unterstützen und übertrifft damit die derzeit auf dem Markt angebotenen 4Zoll-Screens. Full HD Videos lassen sich damit ohne den Inhalt herunterladen zu müssen in Echtzeit verfolgen.
Indem man Smartphone- und Tablet-Herstellern frühzeitig eine große globale Versorgung mit LPDDR3 DRAM anbietet, erwartet man bei Samsung einen signifikanten Anstieg beim Einsatz von 2GB Mobile DRAM.
Für mehr Informationen über Samsung Memory besuchen Sie bitte www.samsungsemi.com oder www.samsung.com/memory.
Über Samsung Electronics Co., Ltd.
Samsung Electronics Co. Ltd. ist mit einem konsolidierten Umsatz von 143,1 Milliarden US-Dollar in 2011 ein weltweit führender Hersteller von Halbleitern, Telekommunikation, digitalen Medien und digitalen Konvergenz-Technologien. Mit über 197 Niederlassungen in 72 Ländern vertreten, beschäftigt das Unternehmen rund 206.000 Mitarbeiter. Das Unternehmen hat zwei separate Organisationen zur Koordinierung seiner neun unabhängigen Geschäftsbereiche: Digital Media Communications, bestehend aus Visual Display, Mobile Communications, Telecommunication Systems, Digital Appliances, IT Solutions und Digital Imaging; und Device Solutions bestehend aus Memory, System LSI und LED. Anerkannt für seine industrieweit führende Performance über einen Bereich an wirtschaftlichen, ökologischen und sozialen Kriterien wurde Samsung Electronics im 2011 Dow Jones Sustainability Index zur weltweit nachhaltigsten Technologie Company ernannt. Für mehr Informationen besuchen Sie bitte www.samsung.com.
Über Samsung Semiconductor Europe
Samsung Semiconductor Europe, eine Tochtergesellschaft von Samsung Electronics Co. Ltd. Seoul, Korea, mit Sitz in Eschborn bei Frankfurt/Main unterhält Büros in ganz Europa und in der Region EMEA (Middle East Africa). Der europäische Hauptsitz ist für die Marketing- und Verkaufsaktivitäten der Component Business Units von Samsung Electronics zuständig. Dazu gehören die Bereiche Memory, System LSI, LED und Display Business in EMEA. Für mehr Informationen besuchen Sie bitte www.samsung.com/semiconductor.
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*Hinweis für Redakteure: 30nm-Class bedeutet eine Prozesstechnologie mit Halbleiterstrukturen zwischen 30 und 39 Nanometer.
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